VIGED310022DE-04

Genauigkeitszone

Die Isolationswiderstand-Messgenauigkeit des Geräts variiert mit der Netzkapazität sowie mit der Temperatur und Feuchtigkeit.

Die Genauigkeit Ihres Geräts bei 25 °C und 40 % relativer Luftfeuchtigkeit.

  A Zone A: Die Genauigkeit beträgt 20 % ± 1 Stelle
  B Zone B: Die Genauigkeit beträgt 5 % ± 1 Stelle
  C Zone C: Die Genauigkeit beträgt 50 % ± 1 Stelle
  D Widerstand bei Genauigkeitszonen-Grenzwert τ1
  E Widerstand bei Genauigkeitszonen-Grenzwert τ2 (max. 10 MΩ)
     

Wenn zwei signifikante Stellen für Isolationswiderstand-Messwerte als gegeben vorausgesetzt werden, kann die Genauigkeit berechnet werden.

  • Zone A: Bei 250 Ω, 20 % = 50, ± 1 Stelle = 10. Der angezeigte Wert liegt für eine Gesamtgenauigkeit von etwa ± 25 % zwischen 190 Ω und 310 Ω.

  • Zone B: Bei 1 kΩ, 5 % = 50 Ω, ± 1 Stelle = 100. Der angezeigte Wert liegt für eine Gesamtgenauigkeit von etwa ± 20 % zwischen 1,8 kΩ und 1,2 kΩ.

  • Zone C: Bei 3 MΩ, 50 % = 1,5 MΩ, ± 1 Stelle = 100 kΩ. Der angezeigte Wert liegt für eine Gesamtgenauigkeit von etwa ± 50 % zwischen 1,4 MΩ und 4,6 MΩ.

Berechnung des Widerstands für Genauigkeitszonen-Grenzwerte τ1 und τ2

τ = R (MΩ) x C (µF)

Die Genauigkeit der Geräte-Zustandsübergänge bei bestimmten τ-Werten, die durch Tests bei verschiedenen Widerständen und Kapazitäten ermittelt wurde und die auch von der ausgewählten Filterzeit (Dauer der Messpunkte) abhängig ist.

  • Bei einer Filterzeit von 4 Sekunden – τ1 = 1, τ2 = 4

  • Bei einer Filterzeit von 40 oder 160 Sekunden – τ1 = 2, τ2 = 10

Widerstand bei τ1 und τ2 bei einer Filterzeit von 4 Sekunden

τ1 = 1 τ2 = 4

Kapazität = 1 µF , τ1/C = 1/1 µF = 1 MΩ

Widerstand bei τ1 = 1 MΩ

Kapazität = 1 µF , τ2/C = 4\1 µF = 4 MΩ

Widerstand bei τ2 = 4 MΩ

Kapazität = 10 µF , τ1/C = 1/10 µF = 100 kΩ

Widerstand bei τ1 = 100 kΩ

Kapazität = 10 µF , τ2/C = 4/10 µF = 400 kΩ

Widerstand bei τ2 = 400 kΩ

Der Bereich von Genauigkeitszone B (5 %) umfasst ungefähre Werte

Widerstand bei τ1 und τ2 bei einer Filterzeit von 40 und 160 Sekunden

τ1 = 2 τ2 = 10

Kapazität = 1 µF , τ1/C = 2/1 µF = 2 MΩ

Widerstand bei τ1 = 2 MΩ

Kapazität = 1 µF , τ2/C = 10\1 µF = 10 MΩ

Widerstand bei τ2 = 10 MΩ

Kapazität = 10 µF , τ1/C = 2/10 µF = 200 kΩ

Widerstand bei τ1 = 200 kΩ

Kapazität = 10 µF , τ2/C = 10/10 µF = 1 MΩ

Widerstand bei τ2 = 1 MΩ

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