Zone de précision
Précision de votre appareil à 25 °C, humidité relative de 40 %.
| A | Zone A : Précision de 20 % ± 1 chiffre | ||
| B | Zone B : Précision de 5 % ± 1 chiffre | ||
| C | Zone C : Précision de 50 % ± 1 chiffre | ||
| D | Résistance à la limite de zone de précision τ1 | ||
| E | Résistance à la limite de zone de précision τ2 (10 MΩ maximum) | ||
En supposant deux chiffres significatifs pour les mesures de résistance d’isolement, la précision peut être calculée.
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Zone A : À 250 Ω, 20 % = 50 ± 1 chiffre = 10. La valeur affichée sera comprise entre 190 et 310 Ω, pour une précision générale d’environ ±25 %.
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Zone B : À 1 kΩ, 5 % = 50 Ω, ± 1 chiffre = 100. La valeur affichée sera comprise entre 1,8 et 1,2 Ω, pour une précision générale d’environ ±20 %.
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Zone C : À 3 MΩ, 50 % = 1,5 ± 1 chiffre = 100 kΩ. La valeur affichée sera comprise entre 1,4 et 4,6 MΩ, pour une précision générale d’environ ±50 %
Calcul de la résistance pour les limites de la zone de précisionτ1, τ2
τ = R (MΩ) × C(µF)
La précision de votre appareil passe à des valeurs τ spécifiques, identifiées par des tests à différentes résistances et capacitances. Elle est également influencée par le filtrage (durée d’échantillon de mesure) sélectionné.
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Pour le filtrage de 4 secondes, τ1 = 1 , τ2 = 4
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Pour le filtrage de 40 secondes ou 160 secondes, τ1 = 2, τ2 = 10
Résistance à τ1 et τ2 avec filtrage de 4 secondes
| τ1 = 1 | τ2 = 4 |
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Capacitance = 1 µF , τ1/C = 1/1 µF = 1 MΩ Résistance à τ1 = 1 MΩ |
Capacitance = 1 µF , τ2/C = 4\1 µF = 4 MΩ Résistance à τ2 = 4 MΩ |
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Capacitance = 10 µF , τ1/C = 1/10 µF = 100 kΩ Résistance à τ1 = 100 kΩ |
Capacitance = 10 µF , τ2/C = 4/10 µF = 400 kΩ Résistance à τ2 = 400 kΩ |
| La plage de la zone de précision B (5 %) est d’environ | |
Résistance à τ1 et τ2 avec filtrage 40 s et 160 s
| τ1 = 2 | τ2 = 10 |
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Capacitance = 1 µF , τ1/C = 2/1 µF = 2 MΩ Résistance à τ1 = 2 MΩ |
Capacitance = 1 µF , τ2/C = 10\1 µF = 10 MΩ Résistance à τ2 = 10 MΩ |
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Capacitance = 10 µF , τ1/C = 2/10 µF = 200 kΩ Résistance à τ1 = 200 kΩ |
Capacitance = 10 µF , τ2/C = 10/10 µF = 1 MΩ Résistance à τ2 = 1 MΩ |