Zona de precisão
Precisão do dispositivo em 25°C (77°F) e 40% de umidade relativa.
| A | Zona A: a precisão é de 20% ± 1 dígito | ||
| B | Zona B: a precisão é de 5% ± 1 dígito | ||
| C | Zona C: a precisão é de 50% ± 1 dígito | ||
| D | Resistência no limite da zona de precisão τ1 | ||
| E | Resistência no limite da zona de precisão τ2 (máximo de 10 MΩ) | ||
Supondo-se dois dígitos significativos para medições da resistência de isolação, a precisão pode ser calculada.
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Zona A: em 250 Ω, 20% = 50, ± 1 dígito = 10. O valor exibido irá variar de 190 Ω a 310 Ω, para uma precisão geral de aproximadamente ± 25%.
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Zona B: em 1 kΩ, 5% = 50 Ω, ± 1 dígito = 100. O valor exibido irá variar de 1,8 kΩ a 1,2 kΩ, para uma precisão geral de aproximadamente ± 20%.
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Zona C: em 3 MΩ, 50% = 1,5 MΩ, ± 1 dígito = 100 kΩ. O valor exibido irá variar de 1,4 MΩ a 4,6 MΩ, para uma precisão geral de aproximadamente ± 50%
Cálculo de resistência para limites da zona de precisãoτ1, τ2
τ = R (MΩ) x C(µF)
A precisão do seu dispositivo transita por valores τ específicos, identificados por testes em diferentes resistências e capacitâncias, além de ser influenciada pela filtragem (duração da amostra de medição) selecionada.
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Para filtragem de 4 segundos, τ1 = 1, τ2 = 4
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Para filtragem de 40 segundos ou 160 segundos, τ1 = 2, τ2 = 10
Resistência em τ1 e τ2 com filtragem de 4 segundos
| τ1 = 1 | τ2 = 4 |
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Capacitância = 1 µF , τ1/C = 1/1 µF = 1MΩ Resistência em τ1 = 1 MΩ |
Capacitância = 1 µF , τ2/C = 4\1 µF = 4MΩ Resistência em τ2 = 4MΩ |
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Capacitância = 10 µF , τ1/C = 1/10 µF = 100 kΩ Resistência em τ1 = 100 kΩ |
Capacitância = 10 µF , τ2/C = 4/10 µF = 400 kΩ Resistência em τ2 = 400 kΩ |
| O intervalo de precisão da zona B (5%) é aproximado | |
Resistência em τ1 e τ2 com filtragem de 40 segundos e 160 segundos
| τ1 = 2 | τ2 = 10 |
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Capacitância = 1 µF , τ1/C = 2/1 µF = 2MΩ Resistência em τ1 = 2MΩ |
Capacitância = 1 µF , τ2/C = 10\1 µF = 10 MΩ Resistência em τ2 = 10 MΩ |
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Capacitância = 10 µF , τ1/C = 2/10 µF = 200 kΩ Resistência em τ1 = 200 kΩ |
Capacitância = 10 µF , τ2/C = 10/10 µF = 1 MΩ Resistência em τ2 = 1 MΩ |