Zona di precisione
Precisione del dispositivo alla temperatura di 25 °C e con un'umidità relativa del 40%.
| A | Zona A: precisione 20% ± 1 cifra | ||
| B | Zona B: precisione 5% ± 1 cifra | ||
| C | Zona C: precisione 50% ± 1 cifra | ||
| D | Resistenza al limite della zona di precisione τ1 | ||
| E | Resistenza al limite della zona di precisione τ2 (max. 10 MΩ) | ||
La precisione può essere calcolata presumendo due cifre significative per la misurazione della resistenza di isolamento.
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Zona A: a 250 Ω, 20% = 50, ± 1 cifra = 10. Il valore visualizzato sarà compreso tra 190 Ω e 310 Ω, per una precisione globale di circa ± 25%.
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Zona B: a 1 kΩ, 5% = 50 Ω, ± 1 cifra = 100. Il valore visualizzato sarà compreso tra 1,8 kΩ e 1,2 kΩ, per una precisione globale di circa ± 20%.
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Zona C: a 3 MΩ, 50% = 1,5 MΩ, ± 1 cifra = 100 kΩ. Il valore visualizzato sarà compreso tra 1,4 MΩ e 4,6 MΩ, per una precisione globale di circa ± 50%.
Calcolo della resistenza per i limiti della zona di precisione τ1, τ2
τ = R (MΩ) x C(µF)
Precisione delle transizioni del dispositivo a valori τ specifici, rilevata tramite verifica a resistenze e capacità diverse, e condizionata anche dal filtraggio selezionato (durata del campione di misurazione).
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Per filtraggio di 4 secondi, τ1 = 1, τ2 = 4
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Per filtraggio di 4 o 160 secondi, τ1 = 2, τ2 = 10
Resistenza a τ1 e τ2 con filtraggio di 4 secondi
| τ1 = 1 | τ2 = 4 |
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Capacità = 1 µF , τ1/C = 1/1 µF = 1 MΩ Resistenza a τ1 = 1 MΩ |
Capacità = 1 µF , τ2/C = 4\1 µF = 4 MΩ Resistenza a τ2 = 4MΩ |
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Capacità = 10 µF , τ1/C = 1/10 µF = 100 kΩ Resistenza a τ1 = 100 kΩ |
Capacità = 10 µF , τ2/C = 4/10 µF = 400 kΩ Resistenza a τ2 = 400 kΩ |
| Il range della zona di precisione B (5%) è circa | |
Resistenza a τ1 e τ2 con filtraggio di 40 e 160 secondi
| τ1 = 2 | τ2 = 10 |
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Capacità = 1 µF , τ1/C = 2/1 µF = 2 MΩ Resistenza a τ1 = 2 MΩ |
Capacità = 1 µF , τ2/C = 10\1 µF = 10 MΩ Resistenza a τ2 = 10 MΩ |
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Capacità = 10 µF , τ1/C = 2/10 µF = 200 kΩ Resistenza a τ1 = 200 kΩ |
Capacità = 10 µF , τ2/C = 10/10 µF = 1 MΩ Resistenza a τ2 = 1 MΩ |